快閃記憶體包括NOR Flash（或非快閃記憶體）和NAND Flash（與非快閃記憶體），其中NAND Flash佔據快閃記憶體市場95%以上份額。NOR Flash（或非快閃記憶體）憑藉獨特的技術特性，在工業、汽車等專業領域佔據一席之地。作為非易失快閃記憶體的兩大核心技術路徑之一，NOR Flash歷經數十年發展，在物聯網、汽車電子、AI伺服器等新興場景的驅動下，正從“小眾利基市場”邁向“高成長賽道”。而在這一浪潮中，本土MCU企業的佈局尤為關鍵。以中微半導為代表的本土企業，正憑藉MCU賽道的技術與客戶優勢，加速切入這一高成長領域，推動NOR Flash從“小眾剛需”向“規模化應用”邁進。01什麼是NOR Flash？NOR Flash的發展始於上世紀80年代，1988年相關技術率先由東芝的富士雄研發，後經Intel推動產業化，徹底打破了此前EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory，電可程式設計序唯讀儲存器）和EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory，電可擦唯讀儲存器）一統唯讀儲存器市場的格局。緊隨其後的1989年，東芝推出NAND Flash，二者形成鮮明互補：NOR側重程式碼儲存，而NAND Flash以高儲存密度、低成本為優勢，主導大容量資料儲存。NOR Flash的特點是採用平行定址結構，晶片內執行（XIP，eXecute In Place），這樣應用程式可以直接在快閃記憶體內運行，無需載入至系統RAM，且具備長資料保留時間、耐熱、低功耗、擦寫壽命長（約10萬次）等特性。儘管其儲存密度低、單位容量成本高，寫入與擦除速度較慢，但在小容量、高可靠性、快速響應的場景中具有不可替代性，早期主要應用於功能機等裝置的韌體儲存，如今已逐步拓展至更廣泛的專業領域。而NAND 由於具備極高的儲存單元密度，可實現高儲存密度，且寫入、擦除速度表現優異；其落地應用的的困難在於需要配套專用的系統介面完成快閃記憶體的高效管理。讀寫性能上，NOR 的讀取速度略優於 NAND，而 NAND 的寫入速度則遠勝 NOR。02多領域需求驅動NOR Flash量價齊升隨著物聯網、汽車電子、人工智慧等產業的快速發展，NOR Flash的應用場景持續拓寬，市場需求迎來爆發式增長，推動其從細分領域走向規模化應用。在物聯網與AIoT領域，MCU（微控製器）的應用也越來越廣。早期MCU通過內建EEPROM或外接小容量NOR Flash即可滿足需求，但隨著智能裝置功能不斷豐富，系統升級、音訊儲存、GUI圖片顯示、視訊快取、協議棧等需求催生了更大容量的儲存需求，MCU配套的NOR Flash也逐步向更高容量升級。人工智慧趨勢下，端側AI需求爆發進一步放大了這一趨勢，AI耳機、智能手環、AR/VR裝置、智能音箱、具身智慧型手機器人、AI玩具等終端產品，對儲存的快速響應能力和可靠性要求極高，且多數場景無需大容量儲存，恰好契合NOR Flash的技術優勢。比如，TWS耳機（內建1顆NOR以儲存系統程式碼）、智能手錶/手環（內建/外接1顆NOR）、AR/VR（通常配置1顆NOR）等可穿戴裝置市場快速發展，帶來巨大的NORFlash潛在需求量。汽車電子領域的增長同樣迅猛。數字座艙、自動駕駛（ADAS）的快速發展，推動車載儲存需求持續攀升。NOR Flash的即時啟動（instant-on）特性，使其成為汽車儀表板的理想選擇。相較於NAND Flash，其長資料保留、耐熱、快速啟動程式碼的優勢，完美匹配車載場景的嚴苛要求。而整個ADAS系統對NOR Flash的需求則更大。由於ADAS功能的複雜化正在推動智能感測器的普及，如前置攝影機、成像雷達，甚至雷射雷達，因此需要大量高密度NOR Flash。特別是進入自動駕駛時代之後，每顆攝影機、雷達均需要一顆儲存晶片與其配套使用，攝影機和雷達會將所感知到的路面資訊寫入儲存晶片中，並通過專有演算法對寫入的資料進行運算、分析，快速做出緊急避讓、制動等操作，這一需求只有NOR Flash能夠勝任。AI伺服器的爆發式增長，成為NOR Flash需求的“超級引擎”。HBM4（高頻寬記憶體）技術架構的革新，使得DRAM堆疊層數從HBM3的12層躍升至16-20層，其物理結構與電源管理邏輯更為複雜。NOR Flash承擔著AI伺服器系統初始化、安全啟動和韌體儲存的核心功能，能夠滿足HBM4每層DRAM獨立電源管理與初始化的需求。隨著AI伺服器從HBM3E向HBM4升級，單台裝置的NOR Flash用量從1-2顆增至3-5顆，行業資料顯示用量增幅達50%。在AI訓練叢集中，系統需頻繁、可靠地呼叫底層指令，NOR Flash的低延遲、高可靠性使其成為不可替代的部件。需求的持續火爆也引發了漲價潮。中微半導1月27日發佈漲價通知函稱，受當前全行業晶片供應緊張、成本上升等因素的影響，封裝成品交付周期變長，成本較此前大幅度增加，框架、封測費用等成本也持續上漲。鑑於當前嚴峻的供需形勢以及巨大的成本壓力，經過慎重研究，決定於即日起對MCU、Nor flash等產品進行價格調整，漲價幅度15%~50%。03本土MCU企業佈局NOR Flash的戰略邏輯日前，國內MCU龍頭中微半導正式官宣首款非易失性儲存器晶片CMS25Q40A，以4M bit低功耗SPI NOR Flash產品敲開儲存領域大門，開啟“MCU+儲存”佈局。MCU與NOR Flash是天然“黃金搭檔”。絕大多數搭載MCU的嵌入式裝置，都需要外掛NOR Flash儲存程序。這一天然協同性，也推動了本土MCU企業紛紛切入NOR Flash領域，成為產業發展的重要趨勢。NOR Flash與MCU在半導體設計及製造工藝層面具備天然共通性，二者同屬嵌入式系統核心晶片，均需攻克低功耗設計、高可靠性保障、嵌入式儲存最佳化等關鍵技術。企業依託在NOR Flash領域沉澱的工藝經驗、IP資源儲備及客戶管道優勢，可高效推進MCU產品研發，落地“儲存+控制”平台化戰略，顯著降低研發成本與市場風險。這一戰略已得到多家企業實踐驗證：兆易創新、恆爍股份均明確將自身定位為“儲存+控制”領域服務商，借助NOR Flash的管道協同效應拓展MCU業務；普冉則推行“儲存”與“儲存+”雙輪驅動戰略，一方面持續完善原有儲存產品線的全系列佈局，強化工藝性能領先優勢，聚焦中高端工控、車載客戶拓展及新增領域增量機會，為市佔率提升築牢產品根基；另一方面，“儲存+”類股下的MCU與VCM Driver產品快速打響品牌知名度，實現業務持續高速增長。本土MCU企業佈局NOR Flash有三大原因：一是完善產品生態，強化客戶粘性。MCU作為智能裝置的核心控制晶片，通常需外掛儲存晶片儲存程式碼、配置參數等關鍵資料。若MCU企業實現NOR Flash自主供給，可建構“MCU+Flash”一站式解決方案，不僅能有效降低客戶採購成本及供應鏈管理難度，更能通過產品協同繫結客戶需求，顯著增強客戶粘性。二是拓展業務邊界，挖掘新增量。儘管NOR Flash市場規模不及DRAM、NAND Flash，但在汽車電子、工業控制、物聯網裝置等領域具備不可替代性，尤其適配小容量、低功耗應用場景。MCU企業可憑藉既有的客戶資源與技術積累切入該領域，突破原有業務邊界，挖掘細分市場新增長點。三是把握國產化機遇，搶佔細分市場。全球NOR Flash市場長期由華邦、旺宏等國際廠商主導，近年來國產企業市場份額逐步提升，國產替代趨勢顯著。MCU企業可順勢而為，以中小容量產品為切入點，避開與頭部廠商在高密度、車規級產品上的直接競爭，精準搶佔細分市場份額。當然，新進入者也面臨不小挑戰：NOR Flash市場已形成兆易創新、普冉股份等頭部企業，新玩家需在性能、成本、可靠性上實現突破；產品系列化需持續投入大量研發資源，可能影響MCU傳統業務的迭代速度；同時，市場受產能、需求波動影響較大，價格起伏可能衝擊企業盈利能力。不難看出，MCU企業佈局NOR Flash，是依託技術協同、把握國產化機遇的戰略選擇，已成為近年來半導體行業的重要發展趨勢，同時也需應對市場競爭與資源分配等多重挑戰。043D NOR快閃記憶體：非易失性儲存革命為了適應人工智慧、智能汽車等產業發展，HBM、HBF、HBS等各類堆疊方案層出不窮。而在NOR Flash領域，這些應用也對更高密度、更快訪問速度和更高可靠性的快閃記憶體提出更高要求。傳統2D NORFlash已近接物理和性能極限，其平面架構限制了其可擴展性。3D NOR Flash通過垂直堆疊儲存單元，徹底解決了2D架構的可擴展性難題。以旺宏電子（Macronix）的產品線為例，2D NOR Flash單裸片最大容量僅為512Mb，若需更高密度需採用多裸片系統級封裝（SiP）；而3D NOR Flash單裸片容量可達到4Gb，儲存密度實現跨越式提升。這一特性使其成為有限物理空間內需要大量非易失性儲存場景的理想選擇，能夠減少終端裝置對eMMC和NAND等多儲存器件的依賴。除了儲存密度的提升，3D NOR Flash還具備更短的訪問延遲，顯著最佳化了裝置啟動性能，這對於汽車儀表板、AI伺服器等需要近乎即時訪問儲存資料的應用至關重要。隨著3D NOR技術的成熟與量產，其將進一步滿足汽車電子、AI伺服器等高端場景的高性能需求。從技術迭代到需求爆發，從本土突圍到產業升級，NOR Flash在多領域剛需的推動下，成為半導體產業中極具增長潛力的黃金賽道。未來，隨著3D NOR等技術的持續突破，以及國產化處理程序的加速，NOR Flash市場將迎來更為廣闊的發展空間。 (半導體產業縱橫)
